InGaAsAPD雪崩光电二极

InGaAs APD雪崩光电二极管 特点： 高速 平面正照型 TO-Can封装或带尾纤输出 较大可用增益达到20 应用： 光通讯接收设备 CATV接收机 OTDR 光电特性(T = 22℃)： 参 数 符号 测试条件 小值 典型值 较大值 光谱响应范围（nm） λ 　 1000 　 1700 光敏面直径(um) 　 　 φ50 响应度(A/W) Re λ=1.55um,M=10,φ=1uw 8 8.5 　 击穿电压(V) VBR ID=100uA, φ=0 30 　 60 击穿电压温度系数(V/℃) δ TC=-40~ 85℃ 　 0.1 0.15 暗电流(nA) ID M=10, φ=0 　 1 10 总电容(pF) Ctot M=10, φ=0,f=1MHz 　 0.6 1 响应时间(ns) fT M=10, φ=0, λ=1.55um 0.15 0.3 0.5 较大可用增益 Mmax VR=0.98VBR 20 　 　 推荐工作电压(*Vbr) VR M=10, φ=1, λ=1.55um 0.9 　 0.95 note:图片仅供参考,尺寸以实物为准,具体性能指标见每支器件参数