一氧化硅.
度:4N
化学符号:SiO
分 子 量:44.08
规 格:300目粉末 5-10mm块状 1-3mm颗粒50.8*5,76.2*5,101.6*5等其他规格可根据客户需求定做
熔 点:1700℃
密 度:2.1g/cm3
折 射 率(波长/nm):1.8-1.9(550)
1.7(6000)
透明波段/nm:500-8000
相对介电常数:6
损耗因数:0.015-0.02
频 率/kHz:1-103
坩 埚:Ta
蒸发源方式:Ta、Mo
沉积技术:蒸镀
溶 解 于:王水
在10-4Torr蒸发温度:850℃
薄膜的机械和化学性质:适用电阻蒸发,应用低速率。低压下快速蒸发。
应 用:保护膜,冷光膜,装饰膜
注:规格可根据客户要求定做
北京环球金鑫国际科技有限公司从事光学镀膜材料、磁控溅射靶材、材料、粉末的研发生产和销售。产品广泛应用于,航空航天,新能源,LED,电子与半导体,平面显示行业,建筑与汽车玻璃行业,薄膜太阳能行业,磁存储行业,表面工程(装饰