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场效应管 JANTXV2N6849 MOSFET晶体管

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品牌
原厂
型号
JANTXV2N6849
封装
TO-205AF
批号
18+
FET类型
P 沟道
漏源电压(Vdss)
100V
漏极电流(Id)
6.5A
漏源导通电阻(RDS On)
12.4 mΩ
栅源电压(Vgs)
10V
栅极电荷(Qg)
34.8nC
反向恢复时间
2ns
最大耗散功率
800(mW)
配置类型
MOSFET
工作温度范围
-55°C ~ 150°C
安装类型
通孔
场效应管 JANTXV2N6849 MOSFET晶体管
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