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2N60 TO-220F GTZ2N60 MOS管 场效应 品质

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品牌
CDT
型号
2N60
封装
TO-220F
批号
2019
FET类型
N
漏源电压(Vdss)
600
漏极电流(Id)
2
漏源导通电阻(RDS On)
1.2
栅极电荷(Qg)
*
反向恢复时间
-
较大耗散功率
25(mW)
配置类型
标准
工作温度范围
-55~150
安装类型
插件
应用领域
照明电子
2N60 TO-220F GTZ2N60 MOS管 场效应 品质
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