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NTMFS5C430NLT1G SO8FL MOS管 场效应 ON/安森美 原装

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品牌
ON/安森美
型号
NTMFS5C430NLT1G
封装
SO8FL
批号
2018
FET类型
N
漏源电压（Vdss）
40
漏极电流(Id)
5
漏源导通电阻(RDS On)
1
栅源电压(Vgs)
3
栅极电荷(Qg)
8
反向恢复时间
1
较大耗散功率
9（mW）
配置类型
7
工作温度范围
150
安装类型
贴片
应用领域
家用电器,3C数码,智能家居,照明电子,测量仪器,物联网IoT,新能源
NTMFS5C430NLT1G SO8FL MOS管 场效应 ON/安森美 原装
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