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外置MOS驱动升压IC BX8021

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￥0.1/件 更新于:2014-06-10 09:56:00
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深圳市博芯宇科技有限公司

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BX8021为一款频率可调、外置MOSFET大电流升压芯片，电路PWM输出直接驱动N沟道场效应管驱动升压实现大电流输出，芯片的输入范围为2.2～15V，该控制器采用独特的控制方案，PWM（脉冲宽度调制）的优越性，提供一个、较宽电压调节范围的电源。具有较小的静态电流，在重载情况下具有较高的效率，噪声小。采用很小体积的外围元件就可获得满意的输出纹波，这样便于降低电路成本及电路的尺寸。BX8021广泛应用于CCD/CATV/PMPDSC/DSV、STB/VGA Card、DPF(数码相框)、LCD Panel背光、移动电源、应急充电器，其基本特性如下： 1. 提供高度参考电压源: 0.5V( /-2%) 2. Totem Pole 输出PWM 信号，用以直接推动NMOS 3. 宽工作电压范围：3.6V-15V 4. 宽工作频率范围：50KHz~1MHz 5. 欠压IC 栓锁功能(UVLO) 6. 较大PWM DTC 限制：75% 7. 软开机及短路保护功能 (Soft-Start amp;am SCP) 8. 省电功能 (Shutdow Mode) 9. TSSOP-8L封装 BX8021典型应用 应用 输出电流 转换效率 3V升5v 2A 84% 3.7V升12v 1A 86% 5V升12v 1.5A 87% 12V升24v 3.5A 88%
外置MOS驱动升压IC BX8021
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