高压IGBT模块

应用领域 DC斩波器装置 牵引和大功率变频传动 1SP0635V2M1-33 33 2BB0535T-33 www.hmelectron.com.cn 16 2SB315B-CM1200DC-34N 677 电力传输 HVIGBT性能特点 基板：有AlSiC和Cu两种 额定电压：1700V至6500V 额定电流：200A至2400A 绝缘电压：4.0kVrms至10.2kVrms N系列：CSTBTTM硅片工艺，进一步降低损耗，缩小模块体积 H系列：平板型IGBT硅片工艺，性已得到业界公认 N系列B型：CSTBTTM硅片工艺，封装可与H系列兼容 R系列：额定电流提升到1500A；封装尺寸与 H 系列兼容；高短路鲁棒性设计；运行温度范围由-40~125°C 扩大到-50~ 150° C；小存贮温度由-40℃扩展到-55℃。 续流二极管：采用软恢复特，良好的EMI性能。