芯片定制

克隆芯片（抄芯片）设计流程 ◆ 腐蚀 －塑料封装外壳的腐蚀，可看到层金属层 一般采用98%的硫酸加热蒸煮 －金属铝层的腐蚀，可看到多晶和有源区 采用热磷酸 －有多层金属时，去除一层金属后需要用氢氟酸去二氧化硅 －去多晶硅，染色看显现 P阱和N阱 －其它细节处理，纵向结构解剖（SEM扫描电镜/TEM透射电镜或掺杂浓度曲线测试，一般需要IC解剖不作，都是标准工艺，分立器件一般需要做） ◆ 照相拼图 －每腐蚀一层，分区域照相 －每一层金属拼合图，每一层多晶拼合图，有源区拼合图 －把拼合图处理成软件可识别的图像文件 ◆ 提取、整理电路 －数字电路需要归并同类图形，例如与非门、或非门、触发器等，同样的图形不要分析多次 －提出的电路用电路绘制软件绘出，按照易于理解的电路布置，使其他人员也能看出你提取电路的功能 －提取电路的速度完全由提图人员经验水平确定 －各组件连接起来，如果不整理电路是看不出各模块的连接及功能的 ◆ 分析电路 －提取出的电路整理成电路图，并输入几何参数（MOS为宽长比） －通过你的分析，电路功能明确，电路连接无误 ◆ 仿真验证，电路调整 －对电路进行功能仿真验证 －模拟电路一般采用Hspice、Cadence等工具，小规模数字电路采用Cadence,Hsim等工具 －根据新的工艺调整电路 －调整后进行验证 ◆ 版图绘制验证及后仿真 －根据新的工艺文件绘制版图 －版图DRC、LVS，寄生参数提取（Dracula,Assura,Calibre等工具） －提取的网表作仿真验证，并与前仿结果对比 －版图导出GDS文件，Tape out