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隔离电压0-12V脉冲转集电极开路

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¥面议 更新于:2018-05-31 09:18:00
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0-12V脉冲转集电极开路 应用: >> 转速传感器信号隔离、采集及变换 >> 汽车速度测量 >> 汽车ABS防抱死制动系统 >> 信号无失真变送和传输 >> 转速信号放大与整形 >> 地线干扰抑制 >> 电机转速监测系统 >> 速度测量与报警 主要特性: >> 转速传感器信号直接输入,整形调理方波信号 >> 200mV峰值微弱信号的放大与整形 >> 正弦波、锯齿波信号输入,方波信号输出 >> 供电电源:5V、12V、15V或24V直流单电源供电 >> 低成本、小体积,使用方便,性高 >> 标准DIN35 导轨式安装 >> 尺寸:106.7x79.0x25.0mm >> 工业级温度范围: - 45 ~ 85 ℃ >> 不改变原波形频率,响应速度快 >> 电源、信号:输入/输出 3000VDC三隔离 产品选型表: DIN11 IRT – S□ - P□ – O□ 输入信号 供电电源 输出信号 特点 代码 Power 代码 特点 代码 正负信号输入,正弦波输入 幅度峰峰值(VP-P):200mV~50V S1 24VDC P1 输出电平0-5V O1 单端信号输入, 幅度峰峰值(VP-P):5V S2 12VDC P2 输出电平0-12V O2 单端信号输入, 幅度峰峰值(VP-P):12V S3 5VDC P3 输出电平0-24V O3 单端信号输入, 幅度峰峰值(VP-P):24V S4 15VDC P4 集电极开路输出 O4 用户自定义 Su 用户自定义 Ou 产品选型举例: 例 1:输入:转速传感器,正弦波VP-P:200mV~10V;电源:24V ;输出:0-5V电平 型号:DIN11 IRT S1-P1-O1 例 2:输入:转速传感器,正弦波VP-P:200mV~10V;电源:12V ;输出:0-24V电平 型号:DIN11 IRT S1-P2-O3 例 3:输入:0-5V电平;电源:24V ;输出:0-24V电平 型号:DIN11 IRTS2-P1-O3 例 4:输入:0-5V电平;电源:12V ;输出:集电极开路输出 型号:DIN11 IRTS2-P2-O4 例 5:输入:用户自定义;电源:24V ;输出:用户自定义 型号:DIN11 IRTSu-P1-Ou 通用参数 参数名称 测试条件 小 典型值 较大 单位 隔离电压 1min 1500 3000 VDC 信号输入 幅值(VP-P) 0.2 10 60 V 频率 0 10 500 kHz 输入阻抗 10 kΩ 输入电流 5V输入 0.45 mA 信号输出 幅值(VP-P) O1:输出电平0-5V 5 V 频率 0 10 500 kHz 电压(高电平) O1:输出电平0-5V 5 V 电压(低电平) 0 0.05 V 电流(高电平) 2 5 mA 电流(低电平) 2 8 mA 电压 O4:集电极开路输出 5 30 V 电流 3 10 mA 响应时间 1500 ns 辅助电源 电压 用户自定义 3.3 12 24 VDC 电流 VD=12V 83 mA 辅助电源功耗 1 W 工作环境温度 -45 85 ℃ 贮存温度 -45 85 ℃ 引脚 名 称 描 述 引脚 名 称 描 述 1 PW 电源正端 7 IN 模拟信号输入正端 2 NC 空脚 8 IN- 模拟信号输入负端 3 GND 电源负端 9 NC 空脚 4 OUT 模拟信号输出正端 10 NC 空脚 5 OUT- 模拟信号输出负端 11 NC 空脚 6 NC 空脚 12 NC 空脚 引脚定义: 其它相关信息: 蒸发式半导体应变片的具体制作方式如下: (1)在不锈钢隔膜上使用CVD等离子沉淀一层SiO2绝缘膜 (2)在SiO2绝缘膜上再沉淀一层多晶硅。 (3)在多晶硅上使用激光蚀刻,应变片成型 。 (4)用电子束照射蒸镀,配上金制电极。 (5)再使用CVD等离子沉淀一层SiNx保护膜。 根据传感器或变送器的安装场所有无易燃易爆气体及危险程度,选择隔爆型及本安型。 (1)隔爆型在内部电路和周围易燃气体之间采取了隔离措施,允许使用在有一定危险性的环境里 。 (2)本安型即本质安全型的简称,依靠特殊设计的电路在正常工作及故障(意外短路或断路)状态下都不会引起燃爆事故,可用在十分易燃易爆的场所。
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