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制造商: | Vishay | |
产品种类: | MOSFET | |
RoHS: | 详细信息 | |
商标: | Vishay Semiconductors | |
Id-连续漏极电流: | 19 A | |
Vds-漏源极击穿电压: | 40 V | |
Rds On-漏源导通电阻: | 9 mOhms | |
晶体管极性: | N-Channel | |
Vgs-栅源极击穿电压 : | 20 V | |
较大工作温度: | 150 C | |
Pd-功率耗散: | 6 W | |
安装风格: | SMD/SMT | |
封装 / 箱体: | SOIC-Narrow-8 | |
封装: | Reel | |
通道模式: | Enhancement | |
配置: | Single | |
下降时间: | 10 ns | |
小工作温度: | - 55 C | |
上升时间: | 12 ns, 15 ns | |
工厂包装数量: | 2500 | |
典型关闭延迟时间: | 25 ns, 30 ns | |
典型接通延迟时间: | 25 ns, 10 ns | |
零件号别名: | SI4840BDY-E3 |
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