美国ABM光刻机双面光刻机接触式曝光模式

更详细资料：131-2297-6482 娄经理

光学系统
  曝光时间调解器：0.1至999.9秒(可调节精度0.1s)；
  365-400nm光强传感及电源供应控制电路及反馈闭环；
  声控功率警报装置可防止系统功率超过设定指标；
  有安全保护装置的温度及其气流传感器；
  全景准直透镜光线偏差半角:<1.84度；
  波长滤片检查及安装装置；
  抗衍射反射功能高效反光镜；
  二向色的防热透镜装置；
 防汞灯泄漏装置；
  配备蝇眼棱镜装置；
  配备近紫外光源，
     --220 nm 输出强度 – 大约 8-10 mW/ cm2
     --254 nm 输出强度 – 大约 12-14 mW/ cm2
     --365 nm 输出强度 – 大约 18-20 mW/ cm2
     --400 nm 输出强度 – 大约 30-35 mW/ cm2

主要配置:
  6”，8”光源系统
  可支持2”，3”，4”，6”，8”（圆/方片）及碎片光刻（支持特殊工艺卡盘设计）
  手动系统，半自动系统,
  支持电源350-2000 Watt
  支持深紫外近紫外波长（可选项）<1.84度；
  CCD或显微镜对准系统

背后对准测试1:
3um光刻胶套刻至5umAl线内

背后对准测试2:
硅片套刻金属10um对准标记

主要性能指标：:
  光强均匀性Beam Uniformity:
     --<±1% over 2” 区域
     --<±2% over 4” 区域
     --<±2.5% over 6” 区域
  接触式样曝光特征尺寸CD（深紫外DUV）：0.35 um
  接触式样曝光特征尺寸CD(近紫外NUV）： 0.5 um
  支持接近式曝光，特征尺寸CD:
     --0.8um 硬接触
     --1um 20 um 间距时
     --2um 50um 间距时
  正面对准精度±0.5um
  支持正胶、负胶及Su8胶等的厚胶光刻，特征尺寸：100um-300um