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SiC晶种(籽晶)

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¥面议 更新于:2013-04-01 15:01:00
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产品介绍: SiC的物理和电学属性使其成为短波长光电、高温、耐辐射、高功率/高频率电子器件的半导体材料。然而生长的SiC单晶非常困难,其中要素就取决于SiC晶种的品质。晶种的类型、表面性质和吸附变化极大地影响着SiC晶体的生长类型、缺陷结构以及电学性质等等。 合能阳光提供的SiC晶种,可充分满足不同需求的客户,的晶种品质为客户SiC长晶的成品率与晶片质量提供了的保障。 物理性质: 标准参数: 完全可以根据客户需求提供不同品质的晶种。Micropipe密度,标准控制在30/cm2以内,高品质可以控制在5/cm2以内。 技术参数: ■ 系统重复性:300~400nm <0.6% 400~1000nm <0.3% 1000nm以上<0.6% ■ 测试光斑尺寸2mm~10mm ■ 测试速度:单次光谱扫描<1min; 典型客户: 美国,欧洲,亚洲及国内SiC衬底企业。
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