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THERMCO公司科研型低压化学气相沉积LPCVD

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¥面议 更新于:2018-11-01 11:18:00
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THERMCO公司高温氧化炉、扩散炉、合金炉、LPCVD

标准半导体工艺

·LPCVD氮化硅(标准型)

·LPCVD氮化硅(低应力型)

·LPCVD斜坡温度多晶硅
·LPCVD一致晶粒多晶硅
·LPCVD氧化层TEOS(正硅酸乙脂)
·LPCVD VLTO(低温氧化)
·LPCVD BPSG(硼磷硅玻璃)
· 高温氧化

· 干法氧化

· 湿法氧化

· 掺杂扩散 (3-4路液相掺杂管路 ( POCL3 or BBR3))

· 5-6路TCA或Hcl气路

· 混合气体退火
· 高温热回火
· 低温退火和合金化

· 高温驱入(Drive in)

 

标准LED工艺

·高真空退火(环境可控)

·低温合金化/退火

 

标准PV(太阳能)工艺

·湿氧/干氧

·PN结驱入

·Forming气体退火

·氢气退火

·低温热处理

·POCl3,BBr3 PN结和槽

·反射氮化膜(ARC Nitride coating)

 

标准MEMS(微机电)工艺

·低应力CVD氮化物

·氧氮化物SIPOS

·厚氧

·TEOS,良好的台阶覆盖能力

·多晶硅和掺杂多晶硅


 


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